สารบัญ:
คำจำกัดความ - ซิงโครนัส DRAM (SDRAM) หมายถึงอะไร
หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบซิงโครนัส (SDRAM) เป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) พร้อมอินเทอร์เฟซแบบซิงโครนัสกับบัสระบบที่รับส่งข้อมูลระหว่าง CPU และฮับคอนโทรลเลอร์หน่วยความจำ SDRAM มีอินเตอร์เฟสซิงโครนัสที่ตอบสนองอย่างรวดเร็วซึ่งซิงค์กับบัสระบบ SDRAM รอสัญญาณนาฬิกาก่อนที่จะตอบสนองต่ออินพุตควบคุม
SDRAM นำหน้าอัตราการส่งข้อมูลสองเท่า (DDR) อินเทอร์เฟซใหม่ของ DRAM มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสองเท่าโดยใช้ทั้งสัญญาณตกและขอบสัญญาณนาฬิกาที่เพิ่มขึ้น สิ่งนี้เรียกว่าการเปลี่ยนแบบปั๊มคู่หรือการเปลี่ยนเป็นสองเท่า มีสามลักษณะสำคัญที่ทำให้ SDRAM และ DDR แตกต่างกัน:
- ความแตกต่างที่สำคัญคือปริมาณของข้อมูลที่ส่งไปกับแต่ละรอบไม่ใช่ความเร็ว
- SDRAM ส่งสัญญาณหนึ่งครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา DDR ถ่ายโอนข้อมูลสองครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา (ทั้ง SDRAM และ DDR ใช้ความถี่เดียวกัน)
- SDRAM ใช้หนึ่งขอบของนาฬิกา DDR ใช้ขอบทั้งสองของนาฬิกา
SDRAM มีโมดูล 64 บิตพร้อมโมดูลหน่วยความจำอินไลน์ (DIMM) ยาว 168 พิน เวลาในการเข้าถึง SDRAM คือ 6 ถึง 12 นาโนวินาที (ns) SDRAM เป็นการแทนที่สำหรับหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) และ EDO RAM DRAM เป็นประเภทของหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (RAM) ที่มีข้อมูลแต่ละบิตในส่วนประกอบที่แยกได้ภายในวงจรรวม EDO RAM รุ่นเก่าดำเนินการที่ 66 MHz
Techopedia อธิบายซิงโครนัส DRAM (SDRAM)
ด้วยวงจรอิเล็กทรอนิกส์แบบเก่าที่มีสัญญาณนาฬิกาอัตราการถ่ายโอนคือหนึ่งสัญญาณต่อสัญญาณนาฬิกาเต็มรอบ วงจรนี้เรียกว่าขึ้น ๆ ลง ๆ สัญญาณนาฬิกาเปลี่ยนสองครั้งต่อการถ่ายโอน แต่สายข้อมูลเปลี่ยนไม่เกินหนึ่งครั้งต่อการถ่ายโอน ข้อ จำกัด นี้อาจทำให้เกิดความสมบูรณ์ (ข้อมูลเสียหายและข้อผิดพลาดระหว่างการส่ง) เมื่อใช้แบนด์วิดท์สูง SDRAM ส่งสัญญาณหนึ่งครั้งต่อรอบสัญญาณนาฬิกา DDR รุ่นใหม่ส่งสัญญาณสองรอบต่อรอบสัญญาณนาฬิกา
SDRAM ได้รับการปรับปรุง DRAM พร้อมอินเทอร์เฟซแบบซิงโครนัสที่รอนาฬิกาพัลส์ก่อนที่จะตอบสนองต่อการป้อนข้อมูล SDRAM ใช้คุณสมบัติที่เรียกว่า pipelining ซึ่งยอมรับข้อมูลใหม่ก่อนที่จะเสร็จสิ้นการประมวลผลข้อมูลก่อนหน้า ความล่าช้าในการประมวลผลข้อมูลเรียกว่าเวลาแฝง
เทคโนโลยี DRAM ถูกนำมาใช้ตั้งแต่ปี 1970 ในปี 1993 Samsung ได้ใช้ SDRAM กับรุ่น KM48SL2000 synchronous DRAM ในปี 2000 DRAM ถูกแทนที่ด้วย SDRAM ในช่วงแรก SDRAM นั้นช้ากว่า EDO DRAM ที่ออกมาเนื่องจากฟีเจอร์ลอจิกพิเศษ แต่ประโยชน์ของ SDRAM อนุญาตให้มีหน่วยความจำมากกว่าหนึ่งชุดซึ่งเพิ่มประสิทธิภาพแบนด์วิดท์
ด้วยการเปิดตัว DDR ทำให้ SDRAM เริ่มหายไปอย่างรวดเร็วเนื่องจาก DDR มีราคาถูกกว่าและคุ้มค่ากว่า SDRAM ใช้ 168 พินในขณะที่โมดูล DDR ใช้ 184 พิน โมดูล SDRAM ใช้แรงดันไฟฟ้า 3.3V และ DDR ใช้ 2.6V ทำให้เกิดความร้อนน้อยลง
