อะไรคือรามที่สมบูรณ์แบบ? - คำจำกัดความจาก techopedia

คำจำกัดความ - Perfect RAM หมายถึงอะไร

Perfect RAM เป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มที่ไม่ลบเลือน มันเก็บข้อมูลโดยการเปลี่ยนสถานะของวัสดุที่ใช้ แก้ว chalcogenide จะสลับระหว่างสถานะเมื่ออยู่ภายใต้ความร้อนที่เกิดจากการไหลของกระแสไฟฟ้า ในระดับจุลภาคข้อมูลจะเปลี่ยนไปมาระหว่างสองสถานะ: amorphous และ crystalline

Perfect RAM เป็นหนึ่งในเทคโนโลยีหน่วยความจำหลายตัวที่แข่งขันกันเพื่อแทนที่หน่วยความจำแฟลชซึ่งมีปัญหาหลายประการ

คำนี้เป็นที่รู้จักกันในชื่อ PRAM, PCRAM, หน่วยความจำแบบครบวงจรของ Ovonic, Chalcogenide RAM, C-RAM, และ Phase-Change Memory (PCM)

Techopedia อธิบาย Perfect RAM

ในสถานะอสัณฐาน (หรือเฟสไม่เป็นระเบียบ) วัสดุมีความต้านทานไฟฟ้าสูง ในสถานะผลึก (หรือเฟสที่สั่งซื้อ) มีความต้านทานน้อยกว่า ดังนั้นกระแสไฟฟ้าได้รับอนุญาตให้เปิดและปิดซึ่งเป็นตัวแทนของรัฐสูงและต่ำดิจิตอลที่สอดคล้องกับค่า 1 และ 0 ของรหัสไบนารี การวิจัยเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้ค้นพบสถานะเพิ่มเติมสองสถานะ

เวลาในการเขียนสำหรับหน่วยความจำแฟลชประมาณหนึ่งมิลลิวินาทีสำหรับบล็อกข้อมูลมากกว่า 100, 000 เท่าของเวลาอ่าน 10 นาโนวินาที (ns) โดยทั่วไปสำหรับไบต์ที่ใช้หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบคงที่ (SRAM) Perfect RAM สามารถให้ประสิทธิภาพที่สูงกว่ามากเมื่อการเขียนที่รวดเร็วเป็นสิ่งสำคัญ หน่วยความจำแฟลชลดลงตามแรงดันไฟฟ้าที่ระเบิดแต่ละครั้ง อุปกรณ์ RAM ที่สมบูรณ์แบบก็ลดลงเช่นกัน แต่ในอัตราที่ช้ากว่ามาก อุปกรณ์เหล่านี้สามารถทนทานได้ประมาณ 100 ล้านรอบการเขียน อายุการใช้งาน RAM ที่สมบูรณ์แบบนั้นถูก จำกัด โดยการขยายตัวทางความร้อนระหว่างการตั้งโปรแกรมการโยกย้ายโลหะและกลไกที่ไม่รู้จัก

ความท้าทายบางประการสำหรับเทคโนโลยี RAM ที่สมบูรณ์แบบนั้นเกี่ยวข้องกับความต้องการกระแสความหนาแน่นสูงในการตั้งโปรแกรม (การควบคุมกระแสที่แม่นยำ), การต้านทานระยะยาว ระดับกล้องจุลทรรศน์ Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics และ Numonyx กำลังค้นคว้าความท้าทายเหล่านี้